Một số yếu tố liên quan đến cơ chế tái hẹp stent Động mạch vành trên IVUS - Nguyễn Thị Hải Yến; Nguyễn Thị Bạch Yến (Tạp chí Tim mạch học Việt Nam, 2019)
Đặt vấn đề: Cơ chế tái hẹp stent động mạch vành hiện nay vẫn còn chưa được rõ ràng. Một số nghiên cứu trên thế giới cho thấy việc kết hợp hình ảnh IVUS trong chụp mạch để đánh giá tái hẹp mang lại tính chính xác cao hơn, giải thích rõ ràng hơn cho cơ chế và nguyên nhân tái hẹp stent sau can thiệp. Đối tượng và phương pháp: Nghiên cứu tiến cứu, mô tả cắt ngang, được thực hiện trên 80 bệnh nhân tái hẹp stent ĐMV từ tháng 11/2015 đến 8/2018. Kết quả: Đánh giá 91 vị trí tái hẹp ≥ 50% (qua kết quả chụp mạch qua da). Thời gian đặt stent: 53,8 ± 40,6 (tháng). % tái hẹp trên IVUS: 67,7± 9%. Cơ chế chính gây tái hẹp trên ivus là tăng sinh nội mạc: Tỷ lệ Nội mạc tăng sinh ≥ 50% gặp 89%; tái hẹp rìa stent: 63,7%; tái cấu trúc âm tính: 72%, stent không áp sát 33,2%; stent gẫy 1,1%, MLSA/ MLATCTB< 90%: 56%. Tái cấu trúc âm tính thường gặp hơn tái cấu trúc dương tính trong tái hẹp vùng rìa stent (71% sv 25%, p=0,02). Các yếu tố làm tăng nguy cơ tái hẹp nhiều: Diện tích lòng mạch tham chiếu trung bình (MLATCTB) ≤ 9 mm2 RR: 1,4 (1,01-1,95); Diện tích stent (MLSA) < 9 mm2: RR: 2,1 (1,1-4,0); % Nội mạc tăng sinh ≥ 50%: RR: 4,7: (1,04-20,8), Týp tái hẹp tăng sinh lan toả: RR: 1,7 (1,1 - 2,8). Kết luận: Cơ chế chính gây tái hẹp là tăng sinh nội mạc. Tái cấu trúc âm tính, MLSA/MLATCTB < 90%, stent không áp sát là những yếu tố tạo thuận cho tăng sinh nội mạc gây tái hẹp. Tái cấu trúc âm tính liên quan tới hiện tượng tái hẹp vùng rìa stent. MLATCTB ≤ 9 mm2, MLSA < 9 mm2, týp tái hẹp tăng sinh lan toả và % nội mạc tăng sinh ≥ 50% là những yếu tố nguy cơ gây tăng mức độ tái hẹp stent sau can thiệp.